Wissenschaftlicher Mitarbeiter - Design & Simulation von GaN Bauelementen (all genders)

Das Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie ISIT bietet in Itzehoe mit einem technologieorientierten Gerätepark, zwei Reinräumen und ca. 700m² Laborflächen eine zukunftsweisende Forschungs- und Fertigungsumgebung für insgesamt ca. 190 Mitarbeitende und mehrere Standortpartner. Als Brückenbauer zwischen Forschung und Vorentwicklung einerseits und kommerzieller Anwendung andererseits ist das Fraunhofer ISIT ein spannender Arbeitgeber mit innovativen Zukunftsaussichten.

Der Fokus unseres Geschäftsfelds »Leistungselektronik« liegt auf der Entwicklung von Prozessen und Bauelementen auf Galliumnitrid-Basis. Dies umfasst laterale AlGaN/GaN-HEMTs, vertikale GaN MOSFETs und Dioden sowie GaN-basierte MEMS, Sensoren und mikroelektronische Bauelemente sowie die Entwicklung und Anpassung von Prozessen für deren zuverlässige Fertigung.

Was Sie bei uns tun

• Konzeptionalisierung und Design von innovativer GaN-basierten Bauelementen mittels kommerzieller und open-source EDA-Software
• Konzeptionierung von Kontrollmessungen zur in-line Charakterisierung neuartiger Bauteile während der Fertigung
• Simulation und Kalibrierung von Prozessen und Bauteileigenschaften mittels TCAD
• Betreuung von Studierenden im Design und der Simulation von Bauelementen
• Eigenverantwortliche Bearbeitung von Arbeitspaketen aus zukunftsweisenden Forschungsprojekten mit unterschiedlichen in- und externen Akteuren aus Industrie und Forschung
• Dokumentation und Kommunikation der Ergebnisse intern sowie gegenüber Kunden und verwerten der Ergebnisse in Publikationen und Patenten

• Flexible Arbeitszeitgestaltung und Unterstützung bei der Vereinbarkeit von Privatleben und Beruf
• 30 Tage Urlaub pro Jahr sowie arbeitsfrei an Brückentagen und zwischen Weihnachten und Neujahr
• Betriebliches Gesundheitsmanagement und betriebliche Altersvorsorge (VBL)
• Corporate Benefits
• Zuschuss zum Deutschlandjobticket
• Kostenlose Mitarbeiterparkplätze
• Interne und externe Weiterbildungsmöglichkeiten
• Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und aktive Mitgestaltung der Zukunft durch Ihre Ideen
• Direkte Kommunikation und flache Hierarchien für einen reibungslosen Arbeitsablauf

• Abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master/Diplom/Promotion) in Physik, Elektrotechnik, Materialwissenschaften, bzw. vergleichbaren Disziplinen
• Sicheres Englisch und Deutsch in Wort und Schrift
• Ein hohes Maß an Selbstständigkeit, Eigeninitiative und Engagement
• Die Fähigkeit, sich schnell in neue Problemstellungen einzuarbeiten sowie Spaß an der Übernahme von Verantwortung im Team

• Kenntnisse in Technologien und Prozessen der Halbleiterfertigung, vorzugsweise GaN-spezifisch
• Kenntnisse in der Bauteilentwicklung und Prozess-/Bauteilesimulation (TCAD)
• Von Vorteil: Erfahrungen in der (materialwissenschaftlichen) Charakterisierung von Halbleiterprozessen und -bauelementen